(Ga,Mn)As中的p型共掺杂效应：Mn晶格位置与磁性的关系
材料科学
2019-08-27 v1
摘要
在本工作中，我们对(Ga,Mn)As中的p型共掺杂进行了系统研究。通过逐步增加Zn掺杂浓度，空穴浓度升高，根据p-d Zener模型，理论上这应导致居里温度(TC)升高。出乎意料的是，尽管薄膜保持外延结构，TC与磁化强度均下降。样品随着空穴浓度增加呈现出从铁磁性到顺磁性的相变。在中间区域，我们观察到反铁磁性的特征。利用沟道卢瑟福背散射谱与粒子诱发X射线发射，观察到替代位Mn原子向间隙位移动，而更多Zn原子占据Ga位，这解释了所观察到的行为。这也与第一性原理计算一致，计算表明替代位Zn与间隙位Mn的复合体具有最低的形成能。
引用
@article{arxiv.1908.09509,
title = {p-type codoping effect in (Ga,Mn)As: Mn lattice location versus magnetic properties},
author = {Chi Xu and Chenhui Zhang and Mao Wang and Yufang Xie and René Hübner and René Heller and Ye Yuan and Manfred Helm and Xixiang Zhang and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.09509},
year = {2019}
}
备注
21 pages, 8 figures