Ni 掺杂对 Ni_2MnGa 电子结构的影响
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们使用全精度线性化平坦轨道平面波方法和紫外光光电子能谱，研究了 Ni_{2+x}Mn_{1-x}Ga 通过 Ni 掺杂导致的电子结构修改。由于 Ni 簇的形成，Ni 3d 相关电子态出现。我们指出，Ni 掺杂可以改变次导数态态密度的分布，而主要导数态态密度几乎保持不变。总磁矩随 Ni 含量的增加而减小。能量计算结果证实了实验中对 Curie 温度和马林尼氏相变温度随 x 值变化的报告。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412611,
title = {Influence of Ni doping on the electronic structure of Ni_2MnGa},
author = {Aparna Chakrabarti and C. Biswas and S. Banik and R. S. Dhaka and A. K. Shukla and S. R. Barman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412611},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, accepted in Phys. Rev. B