面向电子与自旋电子学应用的Ni掺杂SnO$_2$稀磁氧化物研制
应用物理
2022-06-06 v1
摘要
我们采用固相反应法制备了 = 0、0.05、0.1、0.15 的多晶化合物 SnNiO。X 射线衍射确认了具有四方晶体结构的金红石相。在室温下，磁化研究表明饱和磁化强度随 Ni 掺杂量的增加而增大，而在 =0.1 之后矫顽场减小。自旋数随 Ni 掺杂浓度增加而增多，表明 Ni 进入 Sn 位点增加了相互作用自旋的数量，从而改善了铁磁相，这与饱和磁化强度和矫顽场的情况类似。
引用
@article{arxiv.2206.01525,
title = {Development of Ni doped SnO$_2$ Dilute magnetic oxides for electronics and spintronics applications},
author = {Y. S. Worku and V. V. Srinivasu and Dipti R. Sahu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.01525},
year = {2022}
}
备注
4 pages, 3 figures, ACP 2021 Conference