稳定 SnO$_{2}$中的本征缺陷
材料科学
2015-06-11 v3
摘要
我们利用第一性原理 LDA/LDA计算研究了 Li 掺杂 SnO的磁性和电子结构。我们发现，当 Li 掺杂在 Sn 位点时会诱导 SnO产生磁性，但当掺杂在 O 位点和间隙位点时则变为非磁性。计算得到的形成能表明，与 O 位点相比，Li 更倾向于占据 Sn 位点，这与之前的实验工作一致。我们还研究了 Li 与本征缺陷（Sn 空位 V和 O 空位 V）的相互作用，发现 Li 不仅表现为自旋极化剂，还表现为空位稳定剂，即 Li 显著降低了本征缺陷的缺陷形成能，并有助于磁性氧空位的稳定。电子态密度表明，在这些系统中，费米能级接触导带（价带）时系统为非磁性（磁性）。
引用
@article{arxiv.1210.5602,
title = {Stabilizing intrinsic defects in SnO$_{2}$},
author = {Gul Rahman and Naseem Ud Din and Victor M. Garcia-Suarez and Erjun Kan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.5602},
year = {2015}
}
备注
Phys. Rev. B (2013), Accepted