ZnO 中离子注入 ^8Li 的核磁共振研究
材料科学
2022-08-04 v1
摘要
我们利用 β 探测核磁共振报道了半导体 ZnO 单晶中离子注入 ^8Li 的稳定性和磁态。在超稀释浓度下，谱图在 7.6 至 400 K 范围内揭示了不同的 Li 位点。电离的浅施主间隙 Li 在整个温度范围内稳定，证实了其能自补偿其（Zn）替代位对应物的受主特性。在 300 K 以上，自旋-晶格弛豫表明相互作用缺陷的相关局域运动开始，谱图显示从无序构型到替代位的位点转变。与间隙位类似，替代位未显示可分辨的超精细分裂，表明其在 210 K 以上亦完全电离。间隙位 ^8Li 处的电场梯度表现出显著的温度依赖性，其幂律典型于非立方金属。
引用
@article{arxiv.2109.08637,
title = {Nuclear magnetic resonance of ion implanted $^8$Li in ZnO},
author = {Jonah R. Adelman and Derek Fujimoto and Martin H. Dehn and Sarah R. Dunsiger and Victoria L. Karner and C. D. Philip Levy and Ruohong Li and Iain McKenzie and Ryan M. L. McFadden and Gerald D. Morris and Matthew R. Pearson and Monika Stachura and Edward Thoeng and John O. Ticknor and Naoki Ohashi and Kenji M. Kojima and W. Andrew MacFarlane},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.08637},
year = {2022}
}
备注
15 pages and 11 figures