Ni 掺杂对 PdTe 超导体临界参数的影响
超导电性
2016-06-22 v1 强关联电子
摘要
我们报告了Ni掺杂对PdTe超导性的影响。报道了Ni掺杂Pd1-xNixTe中若氢临界温度(Tc)、上临界磁场(Hc2)以及归一化比热跳跃等超导参数。通过真空盾法固态反应法合成了Pd1-xNixTe系列样品，其 nominal 配分数为x=0, 0.01, 0.05, 0.07, 0.1, 0.15, 0.2, 0.3和1.0。通过Rietveld方法 refinement 至P63/mmc空间群，确认所有 studied 的Pd1-xNixTe样品均为六方晶体结构。电阻率和磁学测量结果表明，随着Ni掺杂浓度增加，Tc在Pd1-xNixTe中减小。磁性输运测量表明，20% Ni掺杂的PdTe的通量陷阱效果优于其他配分数的Pd1-xNixTe。还通过自旋极化局域密度泛函近似法研究了Ni 3d电子对Pd1-xNixTe电子结构和费米能级附近态密度的作用。结果表明，NiTe的费米能级处能带重叠度大于PdTe；而且，费米能级以下（导带中）的态密度对于PdTe的下降幅度远大于NiTe。总之，Ni掺杂抑制了Pd1-xNixTe超导体中的超导性，且Ni在这些化合物中为非磁性元素。
引用
@article{arxiv.1605.04647,
title = {Influence of Ni doping on critical parameters of PdTe superconductor},
author = {Reena Goyal and Rajveer Jha and Brajesh Tiwari and Ambesh Dixit and V. P. S. Awana},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.04647},
year = {2016}
}
备注
19 pages Text + Figs: Substantially revised version of arXiv:1509.00945