镍掺杂LaFeAsO中的窄超导窗口
超导电性
2009-05-06 v3 强关联电子
摘要
我们通过X射线衍射、电阻率、磁化率和热容测量，研究了LaFeNiAsO（）中镍替代的影响。镍掺杂显著抑制了母体化合物中与自旋密度波序相关的电阻率异常。超导电性出现在的窄区间内，在=0.04处最大为6.5 K，同时观察到磁化率增强。零温上临界场估计超过泡利顺磁极限。与LaFeAsOF体系相比，其显著降低，文中对此进行了讨论。
引用
@article{arxiv.0807.4328,
title = {Narrow superconducting window in Ni-doped LaFeAsO},
author = {Guanghan Cao and Shuai Jiang and Xiao Lin and Cao Wang and Yuke Li and Zhi Ren and Qian Tao and Jianhui Dai and Zhu'an Xu and Fu-Chun Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.4328},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 7 figures and 3 tables. Accepted for publication in PRB