Mn_5Ge_3C_x化合物中增强居里温度的模拟
材料科学
2013-05-17 v1
摘要
实验表明，与Mn_5Ge_3相比，x>0.5的Mn_5Ge_3C_x薄膜表现出显著增强的居里温度T_C。在本文中，我们展示了在格林函数方法内进行的第一性原理计算结果，重点关注碳掺杂对Mn_5Ge_3电子和磁性质的影响。计算得出的交换耦合常数揭示了由碳介导的铁磁Mn-Mn相互作用的增强。Mn_5Ge_3C中本质增加的T_C在我们的蒙特卡罗模拟中得到了很好的再现，并且与总磁化强度的降低一起，被发现主要具有电子本质。
引用
@article{arxiv.0902.2913,
title = {Simulation of the enhanced Curie temperature in Mn_5Ge_3C_x compounds},
author = {I. Slipukhina and E. Arras and Ph. Mavropoulos and P. Pochet},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.2913},
year = {2013}
}