碳掺杂 Mn5Ge3 薄膜中显著增强的铁磁临界温度
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
我们研究了在不同基片温度 T_S 下制备的 Mn5Ge3C_x 薄膜的结构和磁性。特别地，对于 x >= 0.5 且 T_S = 680 K 的薄膜，其铁磁临界温度 T_C = 440 K 显著高于未掺杂 Mn5Ge3 的 T_C = 304 K。结构分析表明，碳原子以空位形式嵌入六方 Mn5Si3 型结构中 Mn 八面体的孔洞中，从而导致晶格压缩。所观察到的增强铁磁稳定性可解释为由于晶格压缩引起的电子结构变化导致的 C 中介的 Mn-Mn 相互作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905280,
title = {Strongly Enhanced Curie Temperature in Carbon-Doped Mn5Ge3 Films},
author = {M. Gajdzik and C. Suergers and M. Kelemen and H. v. Loehneysen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905280},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, minor changes in text