B20型MnSi薄膜的居里温度研究
材料科学
2022-10-10 v1
摘要
B20型MnSi是磁性斯格明子的原型材料。MnSi薄膜的居里温度高于其块体对应物。然而，目前尚不清楚何种机制导致了居里温度的升高。本工作中，我们在Si(100)和Si(111)衬底上生长MnSi薄膜，其结构具有广泛变化。通过控制Mn厚度和退火参数，获得了多晶和织构化的纯MnSi相以及MnSi与MnSi1.7的混合相。令人惊讶的是，所有这些MnSi薄膜均表现出升高至约43 K的居里温度。在我们可获取的范围内，居里温度很可能独立于结构参数，包括高于阈值的薄膜厚度、应变、晶胞体积以及与MnSi1.7的混合物。然而，所有样品均观察到显著的声子软化，可初步归因于偏离化学计量比的轻微Mn过量，从而导致居里温度升高。
引用
@article{arxiv.2210.03377,
title = {On Curie temperature of B20-MnSi films},
author = {Zichao Li and Ye Yuan and Viktor Begeza and Lars Rebohle and Manfred Helm and Kornelius Nielsch and Slawomir Prucnal and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.03377},
year = {2022}
}
备注
20 pages, 6 figures