常规溅射在蓝宝石上生长的MnSi中的斯格明子相

拓扑保护的手性斯格明子是一种引人入胜的自旋纹理，因基础研究及未来自旋电子学应用而备受关注。具有非中心对称结构的MnSi是众所周知的存在斯格明子相的宿主材料。迄今为止，MnSi晶体的制备一直依赖于配备超高真空腔的特殊仪器进行研究。在此，我们介绍一种在蓝宝石上生长MnSi薄膜的简便方法，该方法采用常规磁控溅射在相对低真空环境中进行。包括霍尔电阻率测量在内的磁输运特性证实了MnSi薄膜中斯格明子相的存在。由于蓝宝石上生长的MnSi薄膜具有多晶性质，斯格明子相的涌现特征受限且复杂。然而，我们在较宽的温度与磁场范围内观察到了稳定的斯格明子相，这可通过霍尔电阻率贡献的现象学标度分析加以解释。我们的发现不仅提供了制备具有斯格明子相材料的通用方法，也为进一步研究以激发我们探索中更多自由度提供了见解。