A位有序锰氧化物中Mn 3d态的掺杂与温度依赖性
强关联电子
2015-05-20 v1
摘要
我们系统研究了A位有序锰氧化物中电子结构随掺杂和温度的变化。将Mn L_{2,3}边软X射线共振衍射(SXRD)观测到的能量依赖性，与中子粉末衍射的结构研究以及团簇计算结果进行了比较。中子粉末衍射获得的晶体结构反映了各种轨道和电荷有序相，并显示Mn-O-Mn键角随掺杂和温度的增加而增大。团簇计算表明，SXRD中观测到的光谱变化随掺杂的变化比单纯由Mn-O-Mn键角增大导致的带宽增加所预期的更为显著，并且最好用分布在相邻氧离子上的空穴来描述。这些空穴并非直接添加到Mn 3d壳层，而是以Mn位为中心。相比之下，SXRD中随温度变化的光谱变化最好用磁关联的增加来描述。这证明了3d态轨道与磁矩之间的强关联性。
引用
@article{arxiv.1011.2334,
title = {Doping and temperature dependence of Mn 3d states in A-site ordered manganites},
author = {M. García-Fernández and U. Staub and Y. Bodenthin and V. Pomjakushin and A. Mirone and J. Fernández-Rodríguez and V. Scagnoli and A. M. Mulders and S. M. Lawrence and E. Pomjakushina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.2334},
year = {2015}
}