Mn掺杂Ga(As,P)和(Al,Ga)As铁磁半导体
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在p型(Ga,Mn)As中，用于自旋电子学的功能性铁磁半导体材料取得了显著进展。然而，在其他III-V族宿主（如锑化物、GaP或(Al,Ga)As）中也观察到了稳健的空穴介导铁磁性，这为优化宿主成分以提高铁磁居里温度开辟了广阔的可能性。在此，我们从理论上探索了Ga(As,P)和(Al,Ga)As三元宿主中的铁磁性和Mn掺入。虽然将(Ga,Mn)As与Al合金化对居里温度的影响很小，但我们预测在较小晶格常数的Ga(As,P)宿主中居里温度会有显著提高。与(Al,Ga)As相比，Mn掺杂的Ga(As,P)在抑制载流子和磁矩补偿间隙Mn杂质的形成方面也更有利。在(Ga,Mn)(As,P)中，我们发现随着P含量的增加，这些有害杂质的偏浓度显著降低。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609158,
title = {Mn-doped Ga(As,P) and (Al,Ga)As ferromagnetic semiconductors},
author = {J. Masek and J. Kudrnovsky and F. Maca and Jairo Sinova and A. H. MacDonald and R. P. Campion and B. L. Gallagher and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609158},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 6 figures