III-Mn-V稀磁半导体中的空穴补偿效应
材料科学
2019-07-12 v1
摘要
本文系统研究了(Ga,Mn)As、(In,Mn)As和(Ga,Mn)P中由离子辐照缺陷补偿所控制的空穴补偿效应对磁性质的影响。在所有材料中，随着空穴补偿的增加，居里温度和磁化强度均下降，证实了基于p-d Zener模型的空穴介导铁磁性描述。居里温度和磁化强度随空穴补偿变化的材料依赖性表明，通过离子辐照调控III-Mn-V稀磁半导体的磁性质，强烈受到所产生的缺陷能级相对于半导体带边位置的影响。
引用
@article{arxiv.1907.05160,
title = {Hole compensation effect in III-Mn-V dilute ferromagnetic semiconductors},
author = {Chi Xu and Mao Wang and Ye Yuan and Gerard Larkin and Manfred Helm and Shengqiang Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.05160},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 4 figures