稀磁半导体中的补偿、间隙缺陷与铁磁性
无序系统与神经网络
2007-05-23 v1
摘要
我们提出了在存在两种通常被认为导致补偿的缺陷——As 反位和 Mn 间隙原子——的情况下，稀磁 III-V 族铁磁性半导体的定量理论。在每种情况下，我们将描述简化为一个有效的随机海森堡模型，其活性磁杂质之间的交换积分由从头计算提供。有效磁哈密顿量随后通过半解析方法（局域自洽 RPA）求解，其中无序被精确处理。测量的居里温度与 As 反位提供主要补偿机制的假设不一致。相反，如果我们假设 Mn 间隙原子是补偿的主要来源，则在生长态和退火态样品中，计算的居里温度与测量值都取得了非常好的一致性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606525,
title = {Compensation, interstitial defects and ferromagnetism in diluted semiconductors},
author = {Georges ~Bouzerar and Timothy Ziman and Josef Kudrnovský},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606525},
year = {2007}
}