来自磁性半导体中局域深杂质的铁磁性
强关联电子
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
我们提出，磁性半导体中的局域缺陷可作为深杂质，按照 Anderson 模型进行描述。在该模型下，d轨道与p轨道的杂化会导致非RKKY间接交换机制的产生，当局域d电子通过导带和价带进行交换时。对于间接带隙的半导体，非RKKY交换积分为反铁磁性，从而抑制了铁磁性。在直接带隙的情况下，此交换机制在特定条件下可导致铁磁性的增强。间接交换积分远强于RKKY，足以保持相当长的距离。因此，一种潜在的高温磁性半导体新类群体出现，其中掺杂载流子并非必需来介导铁磁性。在此类磁性半导体中，铁磁临界温度主要由局域杂质之间的相互作用决定，而非Zener机制。该效应也可能负责某些具有直接带隙的磁性半导体（如GaMnAs）异常高的铁磁临界温度。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311114,
title = {Ferromagnetism from localized deep impurities in magnetic semiconductors},
author = {Victor Barzykin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311114},
year = {2007}
}
备注
16 pages, 8 figures