一类通用稀磁半导体中的重入铁磁性
材料科学
2011-11-09 v1
摘要
考虑半导体被磁性杂质掺杂，导致杂质矩之间产生载流子诱导的铁磁交换耦合的一般情况，我们从理论上证明了三个铁磁转变温度T_1 > T_2 > T_3可能普遍存在，并且在T_1 > T > T_2和T < T_3时存在两个不同的铁磁区域。这种有趣的重入铁磁性，在两个铁磁相之间存在一个顺磁相（T_2 > T > T_3），源于热激活载流子在原本空的导带中诱导的间接交换与束缚载流子本身在杂质带中存在的交换耦合之间的微妙竞争。我们评论了在稀磁半导体和磁性氧化物中观察这种重入现象的可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611384,
title = {Re-entrant ferromagnetism in a generic class of diluted magnetic semiconductors},
author = {M. J. Calderon and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611384},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures