Mn掺杂III-V型铁磁半导体的双交换机制
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
提出了一种关于稀疏磁性半导体(dilute magnetic semiconductor,DMS)中过渡金属掺杂剂之间间接交换相互作用的微观模型。杂质d电子与重空穴带态的杂化主要负责电子在杂质之间的传递，而赫姆齐规则决定了杂质d壳电子占据的自旋选择性。该模型应用于如 型GaN:Mn 和 型 (Ga,Mn)As、型 (Ga,Mn)P 等系统。在含Mn 杂质的 型DMS中，交换机制与Zener为混合价Mn离子所提出的运动学交换非常接近。在 型DMS中，铁磁性由涉及重空穴载流子因其与Mn 杂质3d电子杂化而产生的动能收益的运动学机制所支配。使用分子场近似计算了若干系统的Curie温度 ，并作为杂质浓度和空穴浓度的函数。与现有实验数据之间的比较表明该模型结果与实验数据良好吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311525,
title = {Double exchange mechanisms for Mn doped III-V ferromagnetic semiconductors},
author = {P. M. Krstajic and F. M. Peeters and V. A. Ivanov and V. Fleurov and K. Kikoin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311525},
year = {2009}
}
备注
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