掺杂半导体半赫斯勒化合物的电子结构与磁性

B. R. K. Nanda; I. Dasgupta

doi:10.1088/0953-8984/17/33/008

掺杂半导体半赫斯勒化合物的电子结构与磁性

材料科学 2007-05-23 v1

作者: B. R. K. Nanda , I. Dasgupta

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摘要

我们利用紧束缚线性化丸盒轨道方法(TB-LMTO)框架下的局域自旋密度泛函方法和超胞方法，在较宽的浓度范围内详细研究了M(Mn和Cr)掺杂的半导体半赫斯勒化合物FeVSb、CoTiSb和NiTiSn(XM $_{x}$ Y $_{1-x}$ Z)的电子结构和磁性。我们的计算表明，其中一些化合物不仅具有铁磁性，而且具有半金属性，可能适用于自旋电子学应用。我们借助一个简单模型分析了掺杂体系的电子结构，该模型考虑了掺杂过渡金属(M)与价带X-Z杂化之间的相互作用。我们表明，强的X-d与M-d相互作用使M-d态位于费米能级附近，其中M-t $_{2g}$ 态的能量高于M-e $_{g}$ 态。根据可用的d电子数量，只要d流形部分占据，就能实现铁磁性。我们在Anderson-Hasegawa超交换和双交换模型框架内讨论了铁磁(FM)或反铁磁(AFM)行为的趋势。在我们对Mn掺杂NiTiSn的计算中，FM相对于AFM有序的强烈偏好表明这些体系可能具有较高的居里温度。

关键词

半赫斯勒化合物电子结构磁性掺杂铁磁性半金属性自旋电子学密度泛函理论

引用

@article{arxiv.cond-mat/0611478,
  title  = {Electronic structure and magnetism in doped semiconducting half-Heusler compounds},
  author = {B. R. K. Nanda and I. Dasgupta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611478},
  year   = {2007}
}

备注

14 pages, 6 figures

掺杂半导体半赫斯勒化合物的电子结构与磁性

摘要

关键词

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