掺杂半导体 beta-FeSi2 和 CrSi2 中的巡游磁性
材料科学
2013-12-18 v1
摘要
新颖或异常的磁性是一个备受关注的课题，特别是在金属和简并半导体中。在此类材料中，磁性、输运及其他费米液体性质的相互作用可导致迷人的物理行为。一个例子是磁性半导体，其中自旋极化电流可被控制和利用。我们报告了密度泛函计算结果，预测在相对较低的掺杂水平下（特别是 n 型），掺杂半导体 beta-FeSi2 和 CrSi2 中存在磁性。在这种情况下，随着掺杂水平的变化，会迅速 crossover 到半金属态。本文结合这些化合物的电子结构和其他性质对结果进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1312.4773,
title = {Itinerant magnetism in doped semiconducting beta-FeSi2 and CrSi2},
author = {David J. Singh and David Parker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.4773},
year = {2013}
}