通过低浓度非磁性掺杂在含移动载流子半导体中实现铁磁性
材料科学
2021-04-23 v1
摘要
我们表明，掺杂的立方黄铁矿（一种抗磁性半导体）在 型掺杂时变为铁磁性。我们进一步发现，该材料在隧穿和输运器件中均可呈现高自旋极化。这些结果基于第一性原理电子结构与输运计算。这说明了利用无磁性杂质的 型掺杂作为获得铁磁半导体行为的策略，对需要磁有序和良好迁移率的自旋电子学应用具有重要意义。这一组合通过磁性杂质掺杂半导体难以实现。我们表明磷和砷可能是实现该性质的有效掺杂剂。
引用
@article{arxiv.2104.03877,
title = {Ferromagnetism in a Semiconductor with Mobile Carriers via Low-Level Nonmagnetic Doping},
author = {Bing-Hua Lei and David J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.03877},
year = {2021}
}