掺杂半导体中的自旋扩散
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
自旋扩散在掺杂半导体中的行为与在无掺杂（本征）半导体中呈qualitatively不同。而本征半导体中的自旋包必须是多带扰动，涉及电子和空穴的非均匀分布；而在掺杂半导体中，可能出现单带扰动。对于 n 掺杂非磁性半导体，由于导带中退化电子海的存在，单带自旋包的扩散增益远大于单带电荷包的增益，即使在掺杂浓度仅为 10^16 cm^-3 时，低温下也可超过一个数量级。在 n 掺杂铁磁和半磁性半导体中，预测自旋包的运动（沿平行于平衡载流子自旋极化方向的polarization）速度比平行极化自旋包的运动快一个数量级。对于 p 掺杂半导体，这些结果被反转。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9912192,
title = {Spin diffusion in doped semiconductors},
author = {Michael E. Flatte and Jeff M. Byers},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9912192},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 4 figures