非均匀半导体中的自旋注入与积累
材料科学
2007-05-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了电荷与自旋非均匀半导体系统中的自旋输运。具体而言，我们研究了自旋极化电子通过两个具有不同掺杂浓度的半导体区域之间边界的传播。我们采用本文提出的一种基于两分量 Boltzmann 输运方程自洽处理的理论与数值方法。我们表明，空间电荷效应强烈影响自旋输运性质，特别是引起显著的自旋积累和自旋密度增强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507427,
title = {Spin injection and accumulation in inhomogeneous semiconductors},
author = {Dan Csontos and Sergio E. Ulloa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507427},
year = {2007}
}
备注
4 pages