掺杂半导体中的自旋霍尔效应与自旋库仑拖曳
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1 材料科学
摘要
在这篇综述中，我们详细描述了两种重要的自旋输运现象：外禀自旋霍尔效应（源于电子与杂质间的自旋轨道相互作用）和自旋库仑拖曳。分析了这两种现象的相互影响。特别地，我们讨论了具有相反自旋的电子之间的散射对自旋电流以及由自旋霍尔效应产生的自旋积累的影响。并简要讨论了未来的挑战与开放问题。
引用
@article{arxiv.0902.2799,
title = {Spin-Hall effect and spin-Coulomb drag in doped semiconductors},
author = {E. M. Hankiewicz and G. Vignale},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.2799},
year = {2015}
}
备注
Topical review