自旋希尔效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
III-V 锌盆结构半导体中固有自旋希尔效应已发展为半导体自旋电子学领域中极为活跃和快速发展的研究分支。本文给出其在理论和实验方面取得的成就与挑战的概览。文中特别强调了描述 III-V 锌盆结构半导体中自旋输运内在机制，以及耗散效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602330,
title = {Spin Hall Effect},
author = {John Schliemann},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602330},
year = {2009}
}
备注
22 pages, minor adjustments, version as published