Semiconductors 中固有自旋哈尔效应的 ab initio 计算

G. Y. Guo; Yugui Yao; Qian Niu

doi:10.1103/PhysRevLett.94.226601

Semiconductors 中固有自旋哈尔效应的 ab initio 计算

材料科学 2009-11-11 v1 介观与纳米尺度物理

作者: G. Y. Guo , Yugui Yao , Qian Niu

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摘要

相对论能带理论计算表明， holes 掺杂的典型半导体 Ge、GaAs 和 AlAs 中的固有自旋哈尔电导率较大（约为 $[100 (\hbar/e)(\Omega cm)^{-1}]$ ），表明可超越四能带 Luttinger 哈密顿量。计算得到的轨道角动量（轨道）哈尔电导率小一个数量级，这表明在 bulk 半导体中自旋哈尔效应与轨道哈尔效应之间没有相互抵消。此外，发现自旋哈尔效应可通过应变强烈操控，且在纯净及掺杂半导体中 $ac$ 自旋哈尔电导率均较大。

关键词

自旋哈尔效应半导体 ab initio 计算轨道哈尔效应应变工程

引用

@article{arxiv.cond-mat/0505146,
  title  = {Ab initio calculation of intrinsic spin Hall effect in semiconductors},
  author = {G. Y. Guo and Yugui Yao and Qian Niu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505146},
  year   = {2009}
}

备注

Phys. Rev. Lett. (accepted)

Semiconductors 中固有自旋哈尔效应的 ab initio 计算

摘要

关键词

引用

备注

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