本征自旋霍尔效应：二维系统中的拓扑相变

在由自旋 - 轨道哈密顿量 $\hbar \Omega_p \sigma$ 描述的空间均匀二维电子系统中，自旋霍尔电导率表现为两部分之和：由贝里相位 $\Phi=M \pi$（$M$ 为奇整数，即矢量 $\Omega_p$ 的卷绕数）决定的普适部分 $Me/8 \pi \hbar$，以及在由 $\Omega_p$ 的解析性质所确定的特定条件下消失的非普适部分。分析揭示了自旋霍尔电导率丰富而复杂的行为，这与量子阱中的电子态和空穴态均相关，并可在实验中检测到。