轨道电子学：p 型掺杂硅中的本征轨道 Hall 效应
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1
摘要
自旋 Hall 效应关键依赖于能带的本征自旋轨道耦合。由于硅中的自旋轨道耦合较小，预计其自旋 Hall 效应会大幅减弱。我们证明，p 型掺杂硅中的电场能够以类似于自旋 Hall 效应的方式诱导出无耗散的轨道电流。由杂质散射引起的顶点修正消失，因此该效应对无序具有鲁棒性。轨道 Hall 效应可导致样品边缘出现局部轨道动量积累，并可通过 Kerr 效应进行检测。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502345,
title = {Orbitronics: the Intrinsic Orbital Hall Effect in p-Doped Silicon},
author = {B. Andrei Bernevig and Taylor L. Hughes and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502345},
year = {2009}
}
备注
4 pages