n掺杂GaAs中自旋霍尔导电率的理论
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们发展了关于半导体中外迁移自旋电流的理论，这种自旋电流源于带电散射器处的自旋轨道耦合，导致skew散射和side跳跃对自旋霍尔电导的贡献。将该理论应用于bulk n-GaAs，不使用任何自由参数，我们发现得到的自旋电流与Kato等人最近的实验结果[Science 306, 1910 (2004)]在合理的范围内一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505535,
title = {Theory of Spin Hall conductivity in n-doped GaAs},
author = {Hans-Andreas Engel and Bertrand I. Halperin and Emmanuel I. Rashba},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505535},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 1 figure