石墨烯中由共振斜散射诱导的外在自旋霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2014-02-18 v3
摘要
我们表明，通过装饰少量产生局部自旋轨道微扰的吸附原子、分子或纳米颗粒，可以在单层石墨烯中构建外在自旋霍尔效应。对单杂质散射问题的分析表明，本征和 Rashba 自旋轨道局部耦合通过共振机制下的电荷载流子斜散射增强了自旋霍尔效应。对自旋轨道杂质随机系综的输运方程求解表明，巨大的自旋霍尔电流在当前器件制造工艺水平下是可以实现的。自旋霍尔效应对热涨落和无序平均具有鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1304.7511,
title = {Extrinsic spin Hall effect induced by resonant skew scattering in graphene},
author = {A. Ferreira and T. G. Rappoport and M. A. Cazalilla and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.7511},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures + Supp. Info (7 pages, 3 figures). Published version