利用 Esaki 二极管电极对 GaAs 中直接自旋霍尔效应的全电学测量
介观与纳米尺度物理
2015-06-11 v1 材料科学
摘要
我们报告了在轻掺杂 n 型 GaAs 沟道中对直接自旋霍尔效应的测量结果。作为自旋探测接触，我们采用了高效的铁磁性 Fe/(Ga,Mn)As/GaAs Esaki 二极管结构。我们研究了测得的自旋霍尔信号的偏压和温度依赖性，评估了总自旋霍尔电导率的值及其对沟道电导率和温度的依赖性。根据结果，我们确定了倾斜散射 (skew scattering) 和侧跳 (side jump) 对总自旋霍尔电导率的贡献，并将其与高电导率 n-GaAs 沟道的实验结果 [Phys. Rev. Lett. 105,156602(2010)] 进行了比较。结论表明，倾斜散射和侧跳贡献均不能完全独立于沟道电导率。
引用
@article{arxiv.1209.2633,
title = {All-electrical measurements of direct spin Hall effect in GaAs with Esaki diode electrodes},
author = {Markus Ehlert and Cheng Song and Mariusz Ciorga and Martin Utz and Dieter Schuh and Dominique Bougeard and Dieter Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2633},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 4 figures