具有不可忽略自旋 - 轨道相互作用的化合物半导体中的自旋输运与自旋转换
材料科学
2015-06-23 v1
摘要
我们在室温（RT）下对 n-GaAs 中自旋泵浦诱导的自旋输运进行了定量研究。GaAs 具有不可忽略的自旋 - 轨道相互作用，因此 GaAs 的反向自旋霍尔效应（ISHE）产生的电动势贡献于铂（Pt）自旋探测器检测到的电动势。Pt 自旋探测器检测到的电动势极性与使用 Ni80Fe20/GaAs 双层结构测量到的极性相反，这是由于自旋电流流动方向相反所致，这证明了 n-GaAs 沟道中成功的自旋输运。一个考虑 n-GaAs 沟道中 ISHE 的二维自旋扩散模型揭示了 n-GaAs（）在室温下准确的自旋扩散长度为 ，约为传统模型估计值的一半。
引用
@article{arxiv.1501.06670,
title = {Spin transport and spin conversion in compound semiconductor with non-negligible spin-orbit interaction},
author = {Akiyori Yamamoto and Yuichiro Ando and Teruya Shinjo and Tetsuya Uemura and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06670},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 5 figures