GaAs 中少数载流子电荷与自旋扩散的成像
介观与纳米尺度物理
2010-11-15 v1
摘要
利用一种新型圆偏振光致发光显微镜，在 3 μm 厚的 p+ GaAs 外延剥离薄膜中研究了室温电子扩散。该方法等效于使用标准光学显微镜，并提供了一种非接触式手段来测量电荷扩散长度 (L) 和自旋扩散长度 (L_s)。测得的 L 和 L_s 值与空间平均极化非常吻合，并且随着表面复合的增加，这两个量（L 从 21.3 μm 降至 1.2 μm，L_s 从 1.3 μm 降至 0.8 μm）出现急剧下降。向外扩散导致激发点处的极化增加了 10 倍。
引用
@article{arxiv.1007.0833,
title = {Imaging charge and spin diffusion of minority carriers in GaAs},
author = {I. Favorskiy and D. Vu and E. Peytavit and S. Arscott and D. Paget and A. C. H. Rowe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.0833},
year = {2010}
}
备注
13 pages, 3 figures