高迁移率[110]取向生长GaAs-AlGaAs二维电子系统中的自旋退相干与光致自旋扩散
介观与纳米尺度物理
2011-07-01 v1
摘要
我们通过双光束汉勒实验，研究了嵌入在沿[110]方向生长的GaAs/AlGaAs量子阱中的高迁移率二维电子系统中的自旋退相干与自旋扩散。在极低激发密度下，我们观测到超过16 ns的自旋寿命，该寿命随泵浦光强增加而迅速下降。两种机制导致了这一下降：光激发产生的空穴通过比尔-阿罗诺夫-皮库斯机制以及与自旋极化电子的复合，引起电子自旋的衰减。通过扫描泵浦光束与探测光束之间的距离，我们观测到自旋极化电子扩散超过20微米。在高泵浦光强下，距离泵浦光束数微米处的自旋极化度大于泵浦光斑处，这是由于光生空穴的影响减弱所致。
引用
@article{arxiv.1105.2739,
title = {Spin dephasing and photoinduced spin diffusion in high-mobility 110-grown GaAs-AlGaAs two-dimensional electron systems},
author = {R. Völkl and M. Griesbeck and S. A. Tarasenko and D. Schuh and W. Wegscheider and C. Schüller and T. Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.2739},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures