利用共振自旋放大揭示 (110) GaAs 量子阱中的各向异性自旋弛豫
材料科学
2013-05-30 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用共振自旋放大（RSA）技术，研究了限制在沿 [110] 方向生长的 GaAs/AlGaAs 量子阱中的高迁移率二维电子系统（2DES）的自旋退相干。从 RSA 谱的特征形状中，我们能够提取沿生长方向或位于样品平面内的电子自旋的自旋退相干时间（SDT）以及 因子。我们观察到自旋退相干时间存在强烈的各向异性。当温度在 4 K 至 50 K 之间变化时，面内 SDT 几乎保持不变，而面外 SDT 在约 25 K 时急剧增加，并达到约 100 ns 的值。在 4 K 下的 SDT 可以通过额外的弱势垒上光照进一步提高。我们讨论了这种意外行为的起源，并将 SDT 的增强归因于电子气与远距离施主之间电荷载流子的重新分布。
引用
@article{arxiv.1111.5438,
title = {Anisotropic spin relaxation revealed by resonant spin amplification in (110) GaAs quantum wells},
author = {M. Griesbeck and M. M. Glazov and E. Ya. Sherman and D. Schuh and W. Wegscheider and C. Schüller and T. Korn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5438},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 3 figures