GaAs 二维孔系统的异常自旋极化
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们报告了对稀疏 GaAs 二维 (2D) 孔系统在平行磁场下诱导的自旋亚能级去占据的测量与计算结果。结果表明，约束势阱的形状对 2D 孔系统中上自旋亚能级去占据的平面磁场值具有显著影响。最令人惊讶的是，与 2D 电子系统不同，2D 孔系统中的载流子-载流子相互作用并未显著增强自旋易感性。我们通过对自旋密度矩阵的多极展开来解释这些发现，并指出该增强抑制与孔的能带结构及有效自旋 j=3/2 有关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502559,
title = {Anomalous Spin Polarization of GaAs Two-Dimensional Hole Systems},
author = {R. Winkler and E. Tutuc and S. J. Papadakis and S. Melinte and M. Shayegan and D. Wasserman and S. A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502559},
year = {2007}
}
备注
6 pages, 4 figures, substantially extended discussion of results