载流子密度控制的二维空穴系统各向异性自旋磁化率
介观与纳米尺度物理
2013-01-15 v2
摘要
基于典型半导体材料价带的 Luttinger 模型描述，我们研究了量子阱限制空穴。即使仅填充最低的准二维 (quasi-2D) 子带，静态自旋磁化率也被证明与二维传导电子系统获得的通用各向同性 Lindhard 函数线形非常不同。二维空穴在长波长下强烈的各向异性和奇特的密度依赖自旋相关响应，使得在稀磁量子阱中切换易轴和易面磁化成为可能。本文提出了一个适用于二维空穴系统的有效 因子。
引用
@article{arxiv.1207.4548,
title = {Carrier-density-controlled anisotropic spin susceptibility of two-dimensional hole systems},
author = {T. Kernreiter and M. Governale and U. Zuelicke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.4548},
year = {2013}
}
备注
5+1 pages, 4+1 figures, RevTex 4.1, article + suppl. material to appear in Phys. Rev. Letters