单层薄膜中的各向异性金属-绝缘体相变
强关联电子
2009-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
由简单多价金属制成的量子井代表着一种新型掺杂 2D Mott-Hubbard 绝缘体。正如扫描隧道显微镜实验所显示，这些系统表现出金属-绝缘体相变的各向异性形式。其基本激发态在法向方向上具有相干的波动性，在平面内呈现非相干行为。这种各向异性相干性的发展最可能与局域化和去局域化薄膜电子态之间的库仑相互作用有关——2D Kondo 筛选。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311081,
title = {Anisotropic Metal-Insulator Transition in Epitaxial Thin Films},
author = {I. B. Altfeder and X. Liang and D. M. Chen and V. Narayanamurti},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311081},
year = {2009}
}
备注
4 figures, submitted to PRL