二维空穴系统中低温自旋动力学的栅极控制

我们研究了GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As单量子阱中高迁移率二维空穴系统内局域空穴的自旋和载流子动力学，温度低至400 mK。研究中采用了时间分辨法拉第和克尔旋转，以及时间分辨光致发光光谱。我们观察到长寿命的空穴自旋动力学，其强烈依赖于温度，表明面内局域化对空穴自旋相干性至关重要。通过施加栅极电压，我们能够将观测到的空穴g因子调谐超过50%。作为所加偏压函数的空穴g张量计算与我们的实验结果高度吻合。