p型GaSb量子阱中栅极可调的电子输运
介观与纳米尺度物理
2019-03-29 v2
摘要
我们利用栅极可调器件在低温下研究了GaSb量子阱中的二维空穴输运。探测GaSb价带结构的测量揭示了由自旋轨道耦合引起的基子带显著自旋分裂。我们表征了这些自旋分裂子带的载流子密度、有效质量和量子散射时间，发现结果与能带结构计算一致。此外，我们研究了零磁场附近存在的对电导的弱反局域化修正，并获得了相位相干的信息。这些结果确立了GaSb量子阱作为二维空穴物理平台，并为该系统的未来实验奠定了基础。
引用
@article{arxiv.1901.10891,
title = {Gate-tunable Electronic Transport in p-type GaSb Quantum Wells},
author = {Matija Karalic and Christopher Mittag and Michael Hug and Kenji Shibata and Thomas Tschirky and Werner Wegscheider and R. Winkler and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.10891},
year = {2019}
}