反型 InAs/GaSb 双量子阱中的横向 p-n 结
介观与纳米尺度物理
2017-05-23 v2
摘要
我们展示了在零和非零垂直磁场下，反型 InAs/GaSb 双量子阱中横向 p-n 结的输运测量结果。在零磁场下，该结表现出与杂化能隙存在一致的二极管行为。随着磁场增加，我们探索了量子霍尔区域，其中具有相同手性的自旋极化边缘态在结处要么被反射要么被透射，而相反手性的边缘态则经历混合过程，导致沿结宽度方向独立于自旋的完全均衡。这些结果为利用 InAs/GaSb 双量子阱中的 p-n 结探测拓扑量子自旋霍尔态与量子霍尔态之间的转变奠定了基础。
引用
@article{arxiv.1703.08317,
title = {Lateral p-n Junction in an Inverted InAs/GaSb Double Quantum Well},
author = {Matija Karalic and Christopher Mittag and Thomas Tschirky and Werner Wegscheider and Klaus Ensslin and Thomas Ihn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.08317},
year = {2017}
}