L 形垂直晕注入 p+-GaSb/InAs n-TFET 中的弹道量子输运
材料科学
2014-08-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本研究探讨了垂直晕注入 p+-GaSb/InAs n 型隧穿场效应晶体管（n-TFET）中的弹道量子输运特性。我们研究了电流 - 电压特性、开态电流、关态漏电流以及亚阈值摆幅随栅长、漏极长度、栅极 undercut、等效氧化层厚度、High K 介质及漏极厚度变化的规律。针对新型 L 形非线性几何结构 n-TFET，进行了静电控制、I-V 性能分析及器件结构优化。在该 n-TFET 器件中，p+-GaSb/InAs 异质结形成了 III 型破隙能带排列。在此几何结构中，栅极电场与隧穿结内建电场方向一致，从而辅助带间隧穿过程。为研究该 L 形非线性几何结构中的弹道量子输运，我们采用了基于非平衡格林函数（Non-Equilibrium Green Function）形式的三维全波段原子级 sp3d5s 自旋轨道耦合紧束缚方法量子力学模拟器，自洽求解泊松 - 薛定谔方程以获得电势和局域态密度。
引用
@article{arxiv.1408.5469,
title = {Ballistic quantum transport in L-shaped Vertical Halo-Implanted p+-GaSb/InAs n-TFETs},
author = {Bhupesh Bishnoi and BahnimanGhosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.5469},
year = {2014}
}
备注
There are 6 pages and 14 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1408.3793, arXiv:1408.2641