p+-Al0.3Ga0.7Sb 口袋注入 L 形 GaSb/InAs 异质结垂直 n-TFET

Bhupesh Bishnoi; Bahniman Ghosh

p+-Al0.3Ga0.7Sb 口袋注入 L 形 GaSb/InAs 异质结垂直 n-TFET

材料科学 2014-08-19 v1 介观与纳米尺度物理

作者: Bhupesh Bishnoi , Bahniman Ghosh

摘要

在本工作中，我们研究了具有 4 nm 薄沟道结构和 20 nm 栅长的 p+-Al0.3Ga0.7Sb 口袋注入 L 形 GaSb/InAs 交错带隙 (SG) 异质结垂直 n 沟道隧穿场效应晶体管 (TFET) 的性能。在这种 L 形非线性几何结构中，栅电场与隧穿结内场方向一致。我们使用了一种基于 3D 全带原子 sp3d5s 自旋轨道耦合紧束缚方法的量子力学模拟器。我们研究了在非线性 L 形 TFET 中，作为等效氧化层厚度 $T_{ox}$ 、栅长 $L_G$ 、漏极长度 $L_D$ 、栅底切 $L_{UC}$ 、介电常数和 InAs 漏极厚度 $T_{InAs}$ 函数的电流 - 电压特性、开态电流、关态电流和亚阈值摆幅，旨在实现低亚阈值摆幅和低电压操作。

关键词

隧穿场效应晶体管异质结 GaSb/InAs 口袋注入 L 形几何结构紧束缚方法亚阈值摆幅

引用

@article{arxiv.1408.3793,
  title  = {p+-Al0.3Ga0.7Sb Pocket-Implanted L-shaped GaSb/InAs Heterojunction Vertical n-TFETs},
  author = {Bhupesh Bishnoi and Bahniman Ghosh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1408.3793},
  year   = {2014}
}

备注

There are 26 pages and 16 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1408.2641

p+-Al0.3Ga0.7Sb 口袋注入 L 形 GaSb/InAs 异质结垂直 n-TFET

摘要

关键词

引用

备注

相关论文