基于 GaN/AlN 二维空穴气的高导通电流栅凹槽型 E 模 p 沟道 HFET
应用物理
2018-10-19 v2
摘要
高性能 p 沟道晶体管对于在宽禁带电子学中实现高效互补电路至关重要，但由于在宽禁带半导体中操控空穴的固有挑战，此类器件的进展远远落后于其强大的基于电子的对应器件。基于材料生长的最新进展，本工作同时在 GaN/AlN 宽禁带 p-FET 结构的正向电流（10 mA/mm）和开关调制（四个数量级）方面创下纪录。推导了一个紧凑的解析 pFET 模型，并将结果与文献中的各种替代方案进行基准比较，阐明了异质结构权衡，以实现用于下一代紧凑型高功率器件的集成宽禁带 CMOS。
引用
@article{arxiv.1809.04012,
title = {Gate-recessed E-mode p-channel HFET with high on-current based on GaN/AlN 2D hole gas},
author = {Samuel James Bader and Reet Chaudhuri and Kazuki Nomoto and Austin Hickman and Zhen Chen and Han Wui Then and David A. Muller and Huili Grace Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.04012},
year = {2018}
}