注入选择性 GaN 异结合双极型晶体管，实现 275 kA/cm$^2$ 的漏极电流密度
应用物理
2024-08-27 v1
摘要
我们设计并实现了一种选择性注入 GaN 异结合双极型晶体管，该器件利用图案化基区实现从发射器对电子的选择性注入。该设计通过薄 p-GaN 基区实现少量子注入，而通过相邻薄 p-GaN 基区的厚 p-GaN 区域实现主流子孔的注入。该设计采用 SiO 作为发射器层与厚 p-GaN 基区接触区域之间的spacer，实现了 regrowth 发射器方法。制造的器件显示出相当于 275 kA/cm 的漏极最大电流密度（I），并实现 9 的电流增益（），对于平面 HBT 设计（I =150 kA/cm）可达 17。所报告的结果突显了选择性注入设计在克服 GaN HBT 在基阻抗和电流增益之间持久性权衡方面的潜力，为下一代射频和毫米波应用铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2408.14363,
title = {Selective-injection GaN Heterojunction Bipolar Transistors with 275 kA/cm$^2$ Current Density},
author = {Zhanbo Xia and Chandan Joishi and Shahadat H. Sohel and Andy Xie and Edward Beam and Yu Cao and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.14363},
year = {2024}
}