用于 GaN 发光二极管空穴注入的 InGaN/GaN 隧道结
材料科学
2014-10-09 v1
摘要
利用等离子体辅助分子束外延 (MBE) 在 InGaN/GaN 蓝光 (450 nm) 发光二极管晶圆顶部生长了 InGaN/GaN 隧道结接触。隧道结接触实现了低扩展电阻的 n-GaN 顶部接触层，从而减少了表面所需的顶部金属接触覆盖面积。在隧道结 LED 中测得 100 mA 电流下的压降为 5.3 V，正向电阻为 2 x 10-2 ohm cm2，且光输出功率更高。在 GaN PN 结器件上生长的 MBE 隧道结中测得 5 x 10-4 ohm cm2 的低电阻，表明隧道结 LED 器件的电阻受再生界面限制，而非受本征隧道电阻限制。
引用
@article{arxiv.1403.3932,
title = {InGaN/GaN Tunnel Junctions For Hole Injection in GaN Light Emitting Diodes},
author = {Sriram Krishnamoorthy and Fatih Akyol and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3932},
year = {2014}
}