基于MOVPE生长的简单np-n隧道结LED的局限性
应用物理
2020-10-28 v1 材料科学
摘要
我们证明，通过金属有机气相外延生长的GaN中的隧道结（TJ）主要由陷阱辅助（Poole-Frenkel）隧穿主导。这源于对TJ精心优化掺杂的观察。尤其是p层和n层远非理想。n层引发三维生长，这可通过二次离子质谱（SIMS）中上升的氧信号看出。此外，SIMS观察到的Mg偏析表明存在超过10 nm的耗尽区。尽管如此，我们仍实现了基于TJ的LED，在20 mA下未使用InGaN中间层时具有1.1 V的低附加电压和约10 .cm的比微分电阻。
引用
@article{arxiv.2001.03510,
title = {Limitation of simple np-n tunnel junction based LEDs grown by MOVPE},
author = {Yoann Robin and Quentin Bournet and Geoffrey Avit and Markus Pristovsek and Yamina André and Agnès Trassoudaine and Hiroshi Amano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.03510},
year = {2020}
}