N极性GaN/AlN共振隧穿二极管
材料科学
2020-10-08 v1
摘要
通过等离子体辅助分子束外延生长，在单晶N极性GaN体衬底上实现了N极性GaN/AlN共振隧穿二极管。室温电流-电压特性揭示了一个负微分电导（NDC）区，在约8 V正向偏压下的峰值隧穿电流为6.8 0.8 kA/cm。在反向偏压下，测得的极化诱导阈值电压约为4 V。这些共振电压和阈值电压可由与金属极性对应物方向相反的极化场很好地解释，从而确认了RTD的N极性。当器件偏置于NDC区时，外部电路中产生电子振荡，证明了共振隧穿现象的稳健性。与金属极性RTD相比，N极性结构将发射极置于共振隧穿腔的顶部。因此，该器件结构开启了通过共振隧穿注入将多种 exotic 材料与III族氮化物半导体无缝接口的可能性，为探索新器件物理提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.2010.03079,
title = {N-polar GaN/AlN resonant tunneling diodes},
author = {YongJin Cho and Jimy Encomendero and Shao-Ting Ho and Huili Grace Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.03079},
year = {2020}
}
备注
12 pages, 3 figures