具有低理想因子的N极性GaN p-n结二极管
材料科学
2022-05-24 v2 应用物理
摘要
通过等离子体辅助分子束外延，在单晶N极性GaN体衬底上实现了高质量的N极性GaN p-n二极管。室温电流-电压特性显示出在4 V下10^11的高开关电流比以及1.6的理想因子。当温度升高至200 C时，表观理想因子逐渐接近2。在此类高温下，估计Shockley-Read-Hall复合时间为0.32-0.46 ns。测得的电致发光光谱以强近带边发射为主，而深能级和受主相关发光被极大抑制。在无场板的情况下实现了2.4 MV/cm的相对高反向击穿场。本工作表明，N极性GaN二极管的质量现已接近最先进的Ga极性对应器件。
引用
@article{arxiv.2204.11332,
title = {N-polar GaN p-n junction diodes with low ideality factors},
author = {Kazuki Nomoto and Huili Grace Xing and Debdeep Jena and YongJin Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.11332},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 3 figures