高温 PbTe 二极管
其他凝聚态物理
2009-11-13 v1
摘要
我们描述了高温 PbTe 二极管的制备。在高达 180-200 K 的温度下观察到了令人满意的整流效应。基于 p-PbTe 单晶制备了两种类型的二极管：(1) 通过 In 离子注入，(2) 通过 In 的热扩散。测量在约 10 K 至约 200 K 范围内进行。离子注入二极管在高达约 400 mV 的反向偏压下表现出令人满意的低饱和电流，而热扩散结则在高达约 1 V 时表现良好。这些结呈线性梯度分布。电流 - 电压特性使用 Shockley 模型进行了拟合。文中给出了光传感器参数：零偏压电阻与面积乘积、R0C 时间常数和探测率 D*。
引用
@article{arxiv.0707.1213,
title = {High-temperature PbTe diodes},
author = {Z. Dashevsky and V. Kasiyan and E. Mogilko and A. Butenko and R. Kahatabi and S. Genikov and V. Sandomirsky and Y. Schlesinger},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.1213},
year = {2009}
}